IEEE

IEEE 256-1963

IEEE Test Procedure for Semiconductor Diodes

IEEE 256-1963

IEEE Test Procedure for Semiconductor Diodes


IEEE 256-1963

Процедура испытаний для IEEE полупроводниковых диодов


Действует

Дата ввода
20.12.1963
Дата утверждения
Тип Цена
Электронная версия ( PDF ) 79.50
Печатная копия По запросу
Redline - Электронная версия ( PDF ) По запросу
Redline - Печатная копия По запросу

Наименования

IEEE 256-1963 IEEE Test Procedure for Semiconductor Diodes

IEEE 256-1963 Процедура испытаний для IEEE полупроводниковых диодов

Утверждено

Информация отсутствует

Область применения

This Standard recommends and describes methods of measurement of the important electrical characteristics of semiconductor diodes. For the purpose of this Standard, a semiconductor diode is defined1 as: A semiconductor device having two terminals and exhibiting a nonlinear voltage--current characteristic; in more restricted usage, a semiconductor device which has the asymmetrical voltage--current characteristic exemplified by a single p-n junction. Methods of test are described for static, small-signal and pulse parameters. Many of the terms considered herein have been set down in AI E E and IRE Standards, particularly in 60 IRE 28.SH and AI EE No. 4252.

Разделы

[9] Нераспределенные

Изменения

Информация отсутствует

Основополагающие документы

Информация отсутствует

Документ заменяют

Информация отсутствует

Документ заменил

Информация отсутствует

Основополагающие документы

Информация отсутствует