Afnor (NF EN)

NF EN 62979

Photovoltaic module - Bypass diode - Thermal runaway test

NF EN 62979

Photovoltaic module - Bypass diode - Thermal runaway test


NF EN 62979

Фотоэлектрический модуль - байпас диод - Тепловой беглый тест


Действует

Дата ввода
27.10.2017
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Наименования

NF EN 62979 Photovoltaic module - Bypass diode - Thermal runaway test

NF C57-379 Photovoltaic module - Bypass diode - Thermal runaway test

NF EN 62979 Modules photovoltaïques - Diode de dérivation - Essai d'emballement thermique

NF EN 62979 Фотоэлектрический модуль - байпас диод - Тепловой беглый тест

Утверждено

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Область применения

Domaine d'applicationLe présent document donne une méthode permettant de déterminer si la diode de dérivation montée dans le module est susceptible de faire l'objet d'un emballement thermique ou si le refroidissement est suffisant pour lui permettre de résister au passage entre un fonctionnement en polarisation directe et un fonctionnement en polarisation inverse sans surchauffe.Cette méthodologie d'essai est particulièrement adaptée pour les diodes Schottky, qui ont la particularité d'augmenter le courant de fuite en fonction de la tension de polarisation inverse à haute température, ce qui les rend plus propices à l'emballement thermique.Les éprouvettes qui utilisent des diodes P/N comme diodes de dérivation sont dispensées de l'essai d'emballement thermique exigé ici, car l'aptitude des diodes P/N à résister à la polarisation inverse est suffisamment élevée.

Разделы

ОКС [27.160] Гелиоэнергетика

Изменения

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